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ZTX788B 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZTX788BSTOA詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 10mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:500 @ 10mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

ZTX788BSTOB詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 10mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:500 @ 10mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

ZTX788BSTZ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP HI GAIN TO92-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):450mV @ 10mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:500 @ 10mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

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