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ZXMN10A07 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXMN10A07FTA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:700mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:138pF @ 50V
功率_最大:625mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:帶卷 (TR)

ZXMN10A07FTA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:700mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:138pF @ 50V
功率_最大:625mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:Digi-Reel®

ZXMN10A07FTA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:700mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:138pF @ 50V
功率_最大:625mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:剪切帶 (CT)

ZXMN10A07FTC詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:700mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:138pF @ 50V
功率_最大:625mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:SOT-23-3
包裝:帶卷 (TR)

ZXMN10A07ZTA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:138pF @ 50V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:SOT-89-3
包裝:Digi-Reel®

ZXMN10A07ZTA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:700 毫歐 @ 1.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:138pF @ 50V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:SOT-89-3
包裝:剪切帶 (CT)

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