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ZXMN10A11K詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：274pF @ 50V; 功率_最大：2.11W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN10A11K詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：274pF @ 50V; 功率_最大：2.11W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN10A11K詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：274pF @ 50V; 功率_最大：2.11W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

ZXMN10A11KTC詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：274pF @ 50V; 功率_最大：2.11W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：Digi-Reel®

ZXMN10A11KTC詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：274pF @ 50V; 功率_最大：2.11W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN10A11KTC詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V DPAK; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：350 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：274pF @ 50V; 功率_最大：2.11W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252-3; 包裝：帶卷 (TR)

XC7SHU04GW,125
邏輯 - 柵極和逆變器 NXP Semiconductors 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC INVERTER SIGATE CMOS UMT5
YB26WRKW01-2CF24-JB
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V
VI-JTP-CZ-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 25W
XMLHVW-Q0-0000-0000LS2F8
LED - 高亮度，電源 Cree Inc 2-SMD，無引線 LED XM-L HIGH VOLTAGE WHITE
X5329S8IZ-2.7
PMIC - 監控器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC CPU SUPERV 32K EE 8-SOIC
XW3B-P453-G11
其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR I/O CONNECTOR
XC7V585T-2FFG1761I
嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） Xilinx Inc 1761-BBGA，FCBGA IC FPGA 585K VIRTEX7 1761FCBGA
YB3803
RF 天線 Laird Technologies IAS ANT YAGI 3ELEM 380-406MHZ BLACK
VI-B1B-EW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
VI-JTP-CZ-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 25W
X5329S8T1
PMIC - 監控器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SUPERVISOR CPU 32K EE 8-SOIC
XW3B-P652-G11
其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR I/O CONNECTOR
XC7V585T-L2FFG1761E
嵌入式 - FPGA（現場可編程門陣列） Xilinx Inc 1761-BBGA，FCBGA IC FPGA 585K VIRTEX7 1761FCBGA
YB8066
RF 天線 Laird Technologies IAS ANTENNA 806-896MHZ 11DBI N FML
VI-B1B-EX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 75W

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