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ZXMN3A02 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXMN3A02N8TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:26.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:1.56W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

ZXMN3A02N8TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:26.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:1.56W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:帶卷 (TR)

ZXMN3A02N8TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
系列:-
制造商:Diodes/Zetex
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:26.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:1.56W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:帶卷 (TR)

ZXMN3A02N8TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:26.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:1.56W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

ZXMN3A02X8TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:26.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:8-MSOP
包裝:剪切帶 (CT)

ZXMN3A02X8TA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫歐 @ 12A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:26.8nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:1.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:8-MSOP
包裝:帶卷 (TR)

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