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ZXMP3A16 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ZXMP3A16DN8TA詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1022pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

ZXMP3A16DN8TA詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1022pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

ZXMP3A16DN8TA詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1022pF @ 15V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SOP
包裝:帶卷 (TR)

ZXMP3A16GTA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1022pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:剪切帶 (CT)

ZXMP3A16GTA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1022pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:Digi-Reel®

ZXMP3A16GTA詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223
系列:-
制造商:Diodes Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.4A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 4.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1022pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝:SOT-223
包裝:帶卷 (TR)

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