BSC039N06NS

BSC039N06NS屬性

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BSC039N06NS描述

產品種類: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
商標: Infineon Technologies
下降時間: 7 ns
正向跨導 - 最小值: 85 S / 42 S
最小工作溫度: - 55 C
Pd-功率耗散: 69 W
上升時間: 12 ns
系列: BSC039N06
工廠包裝數量: 5000
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 12 ns

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