電路保護 DF2B6.8ACT,L3F 二極管

電路保護 DF2B6.8ACT,L3F 二極管屬性

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電路保護 DF2B6.8ACT,L3F 二極管描述

DF2B6.8ACT,L3F介紹；
描述 TVS DIODE 5V 7V CST2
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 12 周
類別 電路保護
TVS - 二極管
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
類型 齊納
雙向通道 1
電壓 - 反向關態（典型值） 5V（最大）
電壓 - 擊穿（最小值） 5.8V
電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp 7V（標準）
電流 - 峰值脈沖（10/1000μs） 1A（8/20μs）
功率 - 峰值脈沖 -
電源線路保護 無
應用 通用
不同頻率時的電容 9pF @ 1MHz
工作溫度 -
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOD-882
供應商器件封裝 CST2

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當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

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