晶體管 BSC079N03LSCGATMA1

晶體管 BSC079N03LSCGATMA1屬性

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晶體管 BSC079N03LSCGATMA1描述

BSC079N03LSCGATMA1介紹：

描述 MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 14A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET，MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS™

包裝 帶卷（TR）

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 14A（Ta），50A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.9 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），30W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 PG-TDSON-8

封裝/外殼 8-PowerTDFN

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電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT；其特性有：耐壓高，電流大，開關特性好，但驅動電路復雜，驅動功率大；GTR和普通雙極結型晶體管的工作原理是一樣的。



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