SiHB33N60E-GE3
- 發布時間：2019/6/13 14:13:59
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市中意法電子科技有限公司
SiHB33N60E-GE3屬性
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SiHB33N60E-GE3描述
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 33A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 99 毫歐 @ 16.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 150nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3508pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 278W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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公網安備44030402000607
