IRFD120PBF
IRFD120PBF屬性
- 特價
- MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
- MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
- 特價
- Vishay
IRFD120PBF描述
IRFD120PBF
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: HVMDIP-4
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 1.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 16 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 3.37 mm
長度: 6.29 mm
系列: IRFD
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5 mm
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 0.8 S
下降時間: 17 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 27 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 18 ns
典型接通延遲時間: 6.8 ns
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