TPGAD1S11A-4A

TPGAD1S11A-4A屬性

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TPGAD1S11A-4A描述

TPGAD1S11A-4A ： 905nm脈沖激光二極管陣列。公司優勢庫存。
深圳市大唐盛世半導體有限公司
手 機：17727572380 （程R)。13008842056(張R)
電 話：0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
微信號：15096137729。13008842056
波長: 905nm
光功率: 75 W
發光面積: 1215μm
電壓: 13.5 V
電流: 30 A
發散角: 25/10 Deg.
封裝: SMD
Excelitas Technologies的脈沖半導體激光陣列模塊是一種
四個單獨的905nm InGaAs / GaAs應變量子的單片陣列
可以單獨驅動的阱激光器，無需電子即可尋址
陣列中的光或串擾，或使用通用驅動器，
通道的輸出將合并為一個大激光器，當
一起開槍。每個激光器都是在一個激光器上生長的三個單腔的結構
GaAs基板并通過低電阻連接器串聯連接，
這是一個隧道路口。每個激光器的電流注入寬度為270 μm
高度為10 μm。
激光二極管安裝在無鉛層壓板載體（LLC）基板上
具有出色的熱管理。這適用于兩個表面
掛載應用程序和混合集成。封裝材料是
用于大批量生產的模制環氧樹脂。
包裝設計和組裝加工技術應使
模具的定位在參考表面上得到了很好的控制。與所有四個
通道是相同的單片芯片增長，定位和
通道之間的對準由掩模設計控制，
光刻工藝，因此精確到微米級公差。
量子阱激光器設計提供了<1 ns的上升和下降時間，但是
驅動電路布局和封裝電感起主要作用，
應該進行相應的設計。
主要特點
集中發射源尺寸，可將大功率射入光圈
多表位量子阱結構
可以承受高達35V的大反向電壓電平達1μs
出色的溫度穩定性
符合RoHS
應用領域
激光雷達
自適應巡航控制
自動駕駛汽車
測距
安全光幕
激光療法
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