BSS84LT1G - ON (安森美半導體) - 晶體管-FET，MOSFET-單個

BSS84LT1G - ON (安森美半導體) - 晶體管-FET，MOSFET-單個屬性

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BSS84LT1G - ON (安森美半導體) - 晶體管-FET，MOSFET-單個描述

屬性

參數值



制造商型號

BSS84LT1G


制造商

ON(安森美半導體)


商品描述

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23


包裝

Cut Tape (CT) Alternate Packaging


系列

-


零件狀態

Active


FET 類型

P-Channel


技術

MOSFET (Metal Oxide)


漏源電壓（Vdss）

50V


電流-連續漏極（Id）（25°C 時）

130mA (Ta)


Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V


不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）

10Ohm @ 100mA, 5V


不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）

2V @ 250µA


不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）

-


Vgs（最大值）

±20V


不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）

30pF @ 5V


FET 功能

-


功率耗散（最大值）

225mW (Ta)


工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)


安裝類型

Surface Mount


供應商器件封裝

SOT-23-3 (TO-236)


封裝/外殼

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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