STH315N10F7-2

STH315N10F7-2屬性

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STH315N10F7-2描述

詳細參數
參數名稱 參數值
Source Content uid STH315N10F7-2
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1349340557
包裝說明 H2PAK-3/2
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 6.73
Samacsys Description STMICROELECTRONICS - STH315N10F7-2 - MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK-3
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-07-08 14:47:23
YTEOL 5.92
其他特性 ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas） 1000 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (ID) 180 A
最大漏源導通電阻 0.0023 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 720 A
參考標準 AEC-Q101
表面貼裝 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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