描述：CSD16321Q5
這款25V，1.9mΩ，5mm x 6mm SON NexFET™功率MOSFET旨在將功率轉換中的損耗降至最低，并針對5V柵極驅動應用進行了優化。

產品特性：CSD16321Q5
針對5V柵極驅動進行了優化
超低Qg和Qgd
低熱阻
雪崩等級
無鉛端子電鍍
符合RoHS
SON 5mm×6mm塑料封裝

制造商:CSD16321Q5
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
VSON-CLIP-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
25 V
Id-連續漏極電流:
5 A
Rds On-漏源導通電阻:
2.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
900 mV
Qg-柵極電荷:
14 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
113 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
1 mm
長度:
6 mm
系列:
CSD16321Q5
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
5 mm
商標:
Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:
150 S
開發套件:
TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353
下降時間:
17 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
15 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
27 ns
典型接通延遲時間:
9 ns
單位重量:
117.400 mg