GT250P10T G12P10TE G12P10K
提供各種封裝的 P 通道 MOSFET，電壓范圍從 150 V 到 12 V，包括 DPAK、D2PAK、TO-220 和 POWER SO-8 中的 P100 V。它們使用先進的溝槽和 SGT 技術來提供出色的 RDS(ON)、低柵極電荷、BMS 和太陽能逆變器。它們可廣泛應用于電源、電機控制、BMS 和太陽能逆變器。
特征 簡化的柵極驅動技術 快速切換 抗雪崩能力 提供 ESD 保護產品 符合 RoHS 規定且不含鹵素 應用 電源開關 DC/DC 轉換器 逆變器
