控制開關管的通斷就可以使得發送端流向接收端的電流
發布時間:2024/3/11 8:54:01 訪問次數:117
LVDS是一種電流驅動的高速信號,在發送端施加一個3.5mA的恒定電流源。
控制開關管的通斷,就可以使得發送端流向接收端的電流,在正向和反向之間不斷變化,從而在接收端的100歐姆差分負載上實現+/-350mV的差分電壓變化,最高可實現3.125Gbps的高速數據傳輸。LVDS采用差分線的傳輸方式,會帶來幾個顯著的優勢:
允許發送端和接收端之間存在共模電壓差異(0-2.4V范圍內)
優秀的抗干擾能力,信噪比極佳
極低的電壓擺幅,功耗極低
單通道型號和多通道型號產品
i-BEAM系列產品是雙向回饋式程控直流電源,可配置為單通道,雙通道和四通道的系統。
單通道型號產品支持能量輸出和能量回饋,且可在電源和回饋模式無縫切換。
多通道型號產品除了具有單通道型號產品的特性,還具有更多的優勢特性。
多通道i-BEAM系列產品支持通道并聯,可根據需求兩兩通道并聯或全部通道并聯。
多通道i-BEAM系列產品具有內部直流鏈路,可將電流從整流器傳輸到每個DC/DC轉換器,支持通道間共享電能,在測試中減少電能損失。
多通道i-BEAM系列產品支持多個產品同時測試,任意通道的被測物生成的電能可直接回饋至直流鏈路,為其他通道提供電能,降低整體的交流負載峰值,提升了電能效率,提高了測試的靈活性。
JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標準,可提供兩倍于GDDR6的帶寬,達到了192GB/s,以滿足未來圖形、游戲、計算、網絡和人工智能應用對高內存帶寬不斷增長的需求。
JES239 GDDR7是首款使用脈沖幅度調制(PAM)接口進行高頻操作的JEDEC標準DRAM。其PAM3接口增加了在高頻時的信噪比(SNR),同時提升了能效,通過使用3個電平(+ 1,0,-1)在2個周期內傳輸3個bit,相比傳統的NRZ(不歸零)接口要更強。
在PAM3得加持下,可提供了更高的每個周期的數據傳輸速率,顯著提高顯存的性能。
LVDS是一種電流驅動的高速信號,在發送端施加一個3.5mA的恒定電流源。
控制開關管的通斷,就可以使得發送端流向接收端的電流,在正向和反向之間不斷變化,從而在接收端的100歐姆差分負載上實現+/-350mV的差分電壓變化,最高可實現3.125Gbps的高速數據傳輸。LVDS采用差分線的傳輸方式,會帶來幾個顯著的優勢:
允許發送端和接收端之間存在共模電壓差異(0-2.4V范圍內)
優秀的抗干擾能力,信噪比極佳
極低的電壓擺幅,功耗極低
單通道型號和多通道型號產品
i-BEAM系列產品是雙向回饋式程控直流電源,可配置為單通道,雙通道和四通道的系統。
單通道型號產品支持能量輸出和能量回饋,且可在電源和回饋模式無縫切換。
多通道型號產品除了具有單通道型號產品的特性,還具有更多的優勢特性。
多通道i-BEAM系列產品支持通道并聯,可根據需求兩兩通道并聯或全部通道并聯。
多通道i-BEAM系列產品具有內部直流鏈路,可將電流從整流器傳輸到每個DC/DC轉換器,支持通道間共享電能,在測試中減少電能損失。
多通道i-BEAM系列產品支持多個產品同時測試,任意通道的被測物生成的電能可直接回饋至直流鏈路,為其他通道提供電能,降低整體的交流負載峰值,提升了電能效率,提高了測試的靈活性。
JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標準,可提供兩倍于GDDR6的帶寬,達到了192GB/s,以滿足未來圖形、游戲、計算、網絡和人工智能應用對高內存帶寬不斷增長的需求。
JES239 GDDR7是首款使用脈沖幅度調制(PAM)接口進行高頻操作的JEDEC標準DRAM。其PAM3接口增加了在高頻時的信噪比(SNR),同時提升了能效,通過使用3個電平(+ 1,0,-1)在2個周期內傳輸3個bit,相比傳統的NRZ(不歸零)接口要更強。
在PAM3得加持下,可提供了更高的每個周期的數據傳輸速率,顯著提高顯存的性能。