線路側Rx支持專為應對壓力MMF環境中光學損傷而定制性能增強功能
發布時間:2024/8/28 12:32:25 訪問次數:70
高能效E系列超級結技術，10V下典型導通電阻僅為0.051Ω，從而提高額定功率支持2kW以上的各種應用，器件滿足符合開放計算項目Open Rack V3（ORV3）標準的需求。
MOSFET有效輸出電容Co(er)和Co(tr)典型值分別僅為115pF和772pF，可改善硬開關拓撲結構開關性能，如PFC、半橋和雙開關順向設計。器件的電阻與Co(tr)乘積FOM低至5.87W*pF達到業內先進水平。
SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素，耐受雪崩模式下電壓瞬變，并保證極限值100%通過UIS測試。
小型化顯著提高了功率密?齲??叨燃?稍蚪檔土松杓頻母叢有圓⒓涌觳?飛鮮興俁取Ｎ妊蠱韉目刂破骶蔡?牡緦亢芐。?逯敵?矢嘰?7%。
microBRICK穩壓器適用于數據中心、通信基礎設施和工業應用，可為FPGA、ASIC和SoC核心電源高效供電，有助于降低能耗。
主機側（電）和線路側（光）均為單通道100G PAM4信號。
光側及電側均使用第四代DSP技術，提供了業界領先的高靈敏度和低誤碼率（BER）性能，為組件變化和量產提供了足夠的性能余量。
線路側Rx支持專為應對壓力MMF環境中的光學損傷而定制的性能增強功能。
集成支持可編程激光電流功能的100G VCSEL驅動，可優化模塊布局并降低BOM成本。
配有多階FIR濾波器的高性能發射器，可對模塊的電連接器和光接口進行精確優化。
深圳市金獅鼎科技有限公司https://lionfly.51dzw.com
高能效E系列超級結技術，10V下典型導通電阻僅為0.051Ω，從而提高額定功率支持2kW以上的各種應用，器件滿足符合開放計算項目Open Rack V3（ORV3）標準的需求。
MOSFET有效輸出電容Co(er)和Co(tr)典型值分別僅為115pF和772pF，可改善硬開關拓撲結構開關性能，如PFC、半橋和雙開關順向設計。器件的電阻與Co(tr)乘積FOM低至5.87W*pF達到業內先進水平。
SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素，耐受雪崩模式下電壓瞬變，并保證極限值100%通過UIS測試。
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主機側（電）和線路側（光）均為單通道100G PAM4信號。
光側及電側均使用第四代DSP技術，提供了業界領先的高靈敏度和低誤碼率（BER）性能，為組件變化和量產提供了足夠的性能余量。
線路側Rx支持專為應對壓力MMF環境中的光學損傷而定制的性能增強功能。
集成支持可編程激光電流功能的100G VCSEL驅動，可優化模塊布局并降低BOM成本。
配有多階FIR濾波器的高性能發射器，可對模塊的電連接器和光接口進行精確優化。
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