低VCEsat晶體管性能卓越可以取代采用更大封裝的標準晶體管
發布時間:2024/9/4 8:40:55 訪問次數:91
TOLL封裝的4mΩ碳化硅（SiC）結型場效應晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。
該產品專為包括固態斷路器在內的電路保護應用而設計，UJ4N075004L8S所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優點在上述應用中至關重要。
高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD旨在加快GaN功率IC在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。
配備專業紋理相機，能夠真實還原物體色彩信息。SFH 4726AS LED使用的是紅外不可見光，投射時更安全、舒適，不會對人眼造成傷害。
智能補光設置使得用戶可以自由選擇開/關?構?避免光源頻閃側記的影響,真正實現不可見光掃描效果。
低VCEsat器件，例如PBS5350PAS-Q。這些器件結合了超低飽和電壓和高電流增益，有助于提高許多電源應用的能效。低VCEsat晶體管性能卓越，可以取代采用更大封裝的標?季騫埽傭梢栽詬〉腜CB上實現更緊湊的設計。
10mmx10 mm 4040封裝的第二代新型汽車級器件---IHLE-4040DDEW-5A，擴充IHLE®系列超薄、大電流集成式電場屏蔽電感器。
與上一代解決方案相比，Vishay Dale IHLE-4040DDEW-5A提供改進的屏蔽設計，極性標識提高EMI性能的一致性，不需要單獨板級法拉第（Faraday）屏蔽，從而降低成本，節省電路板空間。
SOI工藝（TarfSOI™），實現了非常高的帶寬：TDS4B212MX的-3dB帶寬（差分）為27.5 GHz（典型值）,TDS4A212MX為26.2 GHz（典型值），在業界處于領先地位。因此,新產品可用作PCIe®5.0,USB4®和USB4®Ver.2等高速差分信號的Mux/De-Mux開關。
西旗科技（銷售二部）https://xiqikeji.51dzw.com
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