使低音揚聲器能夠專注于深沉低音響應和主動降噪所需的低頻能量
發布時間:2024/9/19 22:59:27 訪問次數:62
2分頻揚聲器模塊，以加速利用xMEMS固態MEMS微型揚聲器技術的下一代高分辨率和無損音頻TWS耳機的設計。
與單驅動器TWS耳機相比，Cowell卓越的高頻響應可實現更寬的聲場，為語音、人聲和樂器提供更高水平的清晰度和存在感，使低音揚聲器能夠專注于深沉低音響應和主動降噪所需的低頻能量。
3.3x3.3mm2 PQFN封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。
該新產品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進,為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案,同時也為服務器,通信,OR-ing,電池保護,電動工具以及充電器應用的系統創新開辟了新的可能性。
這些模塊集成了由Bujeon定制設計的重低音、高性能9毫米動態驅動低音揚聲器、xMEMS的Cowell高音揚聲器、世界上最小?牡テ?EMS 微型揚聲器（僅22mm3）和xMEMS的Aptos MEMS揚聲器放大器，以創建與當今領先的TWS片上系統兼容的“插入式”揚聲器解決方案。
BEM-1xx和BEM-2xx系列2分頻低音揚聲器/高音揚聲器模??/span>，具有纖薄緊湊的大小尺寸：4.5毫米高（僅限揚聲器）和9.52毫米直徑。低音揚聲器和高音揚聲器在模塊設計中完美匹配，消除了模擬或數字分頻器的需求、成本和復雜性。
封裝內部在芯片頂部還有一個改進漏極銅夾片設計,實現市場領先的芯片/封裝面積比。
雙面散熱的結構能夠以最直接的方式將功率開關連接至散熱器，其功耗能力與底部散熱、源極底置功率MOSFET相比提高了三倍。
深圳市恒凱威科技開發有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
2分頻揚聲器模塊，以加速利用xMEMS固態MEMS微型揚聲器技術的下一代高分辨率和無損音頻TWS耳機的設計。
與單驅動器TWS耳機相比，Cowell卓越的高頻響應可實現更寬的聲場，為語音、人聲和樂器提供更高水平的清晰度和存在感，使低音揚聲器能夠專注于深沉低音響應和主動降噪所需的低頻能量。
3.3x3.3mm2 PQFN封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋25-150V，并且有底部散熱（BSC）和雙面散熱（DSC）兩種不同的結構。
該新產品系列在半導體器件級層面做出了重要的性能改進,為DC-DC功率轉換提供了極具吸引力的解決方案,同時也為服務器,通信,OR-ing,電池保護,電動工具以及充電器應用的系統創新開辟了新的可能性。
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BEM-1xx和BEM-2xx系列2分頻低音揚聲器/高音揚聲器模??/span>，具有纖薄緊湊的大小尺寸：4.5毫米高（僅限揚聲器）和9.52毫米直徑。低音揚聲器和高音揚聲器在模塊設計中完美匹配，消除了模擬或數字分頻器的需求、成本和復雜性。
封裝內部在芯片頂部還有一個改進漏極銅夾片設計,實現市場領先的芯片/封裝面積比。
雙面散熱的結構能夠以最直接的方式將功率開關連接至散熱器，其功耗能力與底部散熱、源極底置功率MOSFET相比提高了三倍。
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