將天線單純地小型化寄生元件與接地之間的電磁場耦合會變強
發布時間:2024/9/24 22:48:08 訪問次數:27
InnoGaN 650V GaN芯片實現功率轉換，其中，PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH，其采用Toll封裝、導通電阻為30mΩ；PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH，其同樣采用Toll封裝，導通電阻為70mΩ；LLC橋臂采用4顆INN650D080BS，其采用DFN8*8封裝，導通電阻為80mΩ。
與Si MOS相比，Innoscience產品具備低Qg、低Co（tr）以及無反向恢復損耗Qrr等特性。
通過效率測試，在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下，本方案的最高效率可達到96.5%，能輕松滿足80 Plus鈦金級能效標準，進一步為數據中心提供高效電源。
兩款面向電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN器件，以極具競爭力的成本實現高效的AC-DC功率轉換和高功率密度。這兩款參考設計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現量產。
這兩款參考設計還可用于各種其它應用，包括快充、LED可調光驅動器、游戲機和高性能筆記本電腦。
如果將天線單純地小型化，寄生元件與接地之間的電磁場耦合會變強，因此，與饋電天線之間的耦合就會相對變弱。
通過讓寄生元件與饋電天線進行強電磁耦合，可以增加寄生元件的天線共振，實現天線高效化。
抑制因天線電纜較長而導致的性能下降：天線在寬頻帶上使用時，會出現阻抗失配，從而導致無線通信的性能惡化。
而且，將阻抗失配的天線連接到通信電路上，長電纜會進一步加劇阻抗失配，從而導致插入損耗高于預期，無線通信的性能會顯著惡化。通過使用本產品，可以改善天線匹配情況，即使在使用長電纜時也能抑制無線通信的性能惡化。
深圳市恒凱威科技開發有限公司http://szhkwkj.51dzw.com
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與Si MOS相比，Innoscience產品具備低Qg、低Co（tr）以及無反向恢復損耗Qrr等特性。
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如果將天線單純地小型化，寄生元件與接地之間的電磁場耦合會變強，因此，與饋電天線之間的耦合就會相對變弱。
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抑制因天線電纜較長而導致的性能下降：天線在寬頻帶上使用時，會出現阻抗失配，從而導致無線通信的性能惡化。
而且，將阻抗失配的天線連接到通信電路上，長電纜會進一步加劇阻抗失配，從而導致插入損耗高于預期，無線通信的性能會顯著惡化。通過使用本產品，可以改善天線匹配情況，即使在使用長電纜時也能抑制無線通信的性能惡化。
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