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2DB1132R-13 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2DB1132R-13詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 100mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:190MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:SOT-89-3
包裝:帶卷 (TR)

2DB1132R-13詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 100mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:190MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:SOT-89-3
包裝:Digi-Reel®

2DB1132R-13詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 100mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:190MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:SOT-89-3
包裝:剪切帶 (CT)

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