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2N5308 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2N5308詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.4V @ 200µA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:7000 @ 2mA,5V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

2N5308_D26Z詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.4V @ 200µA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:7000 @ 2mA,5V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

2N5308_D27Z詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.4V @ 200µA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:7000 @ 2mA,5V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶卷 (TR)

2N5308_D74Z詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.4V @ 200µA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:7000 @ 2mA,5V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

2N5308_D75Z詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.4V @ 200µA,200mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:7000 @ 2mA,5V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

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