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2N603 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2N6034詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL PNP 4A 40V TO225AA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,4A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 2A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

2N6034G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL PNP 4A 40V TO225AA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,4A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 2A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

2N6035G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL PNP 60V 4A TO-225AA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,4A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 2A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

2N6036詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL PNP 4A 80V TO225AA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,4A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 2A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

2N6036詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL NPN 80V 4A SOT-32
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,4A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 2A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:SOT-32
包裝:管件

2N6036G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DARL PNP 4A 80V TO225AA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP - 達林頓
電流_集電極333Ic444(最大):4A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):3V @ 40mA,4A
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:750 @ 2A,3V
功率_最大:40W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

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