2N7002V詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:280mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563F
- 包裝:帶卷 (TR)
2N7002V詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:280mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563F
- 包裝:Digi-Reel®
2N7002V詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:280mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:250mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563F
- 包裝:剪切帶 (CT)
2N7002V-7詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:280mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:Digi-Reel®
2N7002V-7詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:280mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:帶卷 (TR)
2N7002V-7詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:280mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.5 歐姆 @ 50mA,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 25V
- 功率_最大:150mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
- 供應商設備封裝:SOT-563
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 斷路器 E-T-A 軸向 CIR BRKR THRM 10A ROCKER 250V
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor SOT-563,SOT-666 MOSF N CH DL 60V 280MA SOT-563F
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SOT-563,SOT-666 3G3_X OUTPUT AC REACTOR
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries SOT-563,SOT-666 TERM BARRIER 2CIRC SGL ROW .325
- 鉭 TE Connectivity 1206(3216 公制) CAP TANT 10UF 16V 10% 1206
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 TE Connectivity 1206(3216 公制) CONN TERM BLOCK PLUG 12POS 5MM
- 配件 Power-One 1206(3216 公制) COVER FOR MAP130 SERIES
- 通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR WIREWOUND .15 OHM 5W
- 斷路器 E-T-A 軸向 CIR BRKR THRM 3A ROCKER 250V
- 鉭 TE Connectivity 1206(3216 公制) CAP TANT 3.3UF 16V 20% 1206
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 1206(3216 公制) TERM BARRIER 8CIRC SGL ROW .325
- 通孔電阻器 Ohmite 軸向 RESISTOR WIREWOUND .30 OHM 5W
- 配件 Power-One 軸向 COVER FOR MAP130 SERIES
- 接線座 - 接頭,插頭和插口 TE Connectivity 軸向 CONN TERM BLOCK PIN 7POS BLACK
- 斷路器 E-T-A 軸向 CIR BRKR THRM 4A ROCKER 250V
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