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2SA12 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SA1201-Y(TE12L,CF詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 120V 0.8A SC-62
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):800mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):120V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 100mA,5V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PW-Mini(4.6x4.2)
包裝:帶卷 (TR)

2SA1203-Y(TE12L,CF詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 30V 1.5A SC-62
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2V @ 30mA,1.5A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 500mA,2V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PW-Mini(4.6x4.2)
包裝:帶卷 (TR)

2SA1204-Y(TE12L,CF詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 30V 0.8A SC-62
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):800mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):700mV @ 20mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:120MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PW-Mini(4.6x4.2)
包裝:帶卷 (TR)

2SA1225-Y(Q)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 160V 1.5A PW-MOLD
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1.5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):160V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 50mA,500mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 100mA,5V
功率_最大:1W
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PW-MOLD
包裝:散裝

2SA1242-Y(Q)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 100mA,4A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 500mA,2V
功率_最大:1W
頻率_轉換:170MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PW-MOLD
包裝:管件

2SA1244-O(Q)詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 50V 5A PW-MOLD
系列:-
制造商:Toshiba
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 150mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:70 @ 1A,1V
功率_最大:1W
頻率_轉換:60MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:PW-MOLD
包裝:散裝

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