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2SB1184 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SB1184TLP詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS DVR PNP 50V 3A SOT-428 TR
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:82 @ 500mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:帶卷 (TR)

2SB1184TLQ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:剪切帶 (CT)

2SB1184TLQ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:Digi-Reel®

2SB1184TLQ詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 60V 3A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 500mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:帶卷 (TR)

2SB1184TLR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 50V 3A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:Digi-Reel®

2SB1184TLR詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP 50V 3A SOT-428
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 500mA,3V
功率_最大:1W
頻率_轉換:70MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:CPT3
包裝:帶卷 (TR)

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