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2SC350 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SC3503CSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 300V 100MA TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 2mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 10mA,10V
功率_最大:7W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:管件

2SC3503DSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 2mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 10mA,10V
功率_最大:7W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:管件

2SC3503ESTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 2mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 10mA,10V
功率_最大:7W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:管件

2SC3503FSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):300V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 2mA,20mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 10mA,10V
功率_最大:7W
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:管件

2SC3506詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 800VCEO 3A TOP-3F
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):800V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 400mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:6 @ 2A,5V
功率_最大:3W
頻率_轉換:4MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TOP-3F
供應商設備封裝:TOP-3F-A1
包裝:散裝

2SC3507詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 800VCEO 5A TOP-3F
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):800V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 600mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:6 @ 3A,5V
功率_最大:3W
頻率_轉換:6MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TOP-3F
供應商設備封裝:TOP-3F-A1
包裝:散裝

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