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2SD16 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SD1618S-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 700MA 15V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):80mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 50mA,2V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SD1618T-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 0.7A 15V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):700mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):15V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):80mV @ 10mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 50mA,2V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:250MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SD1620-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 3A 10V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 60mA,3A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 3A,2V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:200MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SD1623S-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 2A 50V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 50mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,2V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SD1623T-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 2A 50V SOT89-3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):2A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):400mV @ 50mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,2V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

2SD1624S-TD-E詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN BIPO 3A 50V PCP
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):3A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:140 @ 100mA,2V
功率_最大:500mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-243AA
供應商設備封裝:PCP
包裝:帶卷 (TR)

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