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2SD1979GSL 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SD1979GSL詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):300mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 3mA,30mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:500 @ 4mA,2V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:80MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-85
供應商設備封裝:S迷你型3-F2
包裝:帶卷 (TR)

2SD1979GSL詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):300mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 3mA,30mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:500 @ 4mA,2V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:80MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-85
供應商設備封裝:S迷你型3-F2
包裝:Digi-Reel®

2SD1979GSL詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 20VCEO 300MA SMINI-3
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):300mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):100mV @ 3mA,30mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:500 @ 4mA,2V
功率_最大:150mW
頻率_轉換:80MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-85
供應商設備封裝:S迷你型3-F2
包裝:剪切帶 (CT)

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