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2SJ200-Y(F) 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SJ200-Y(F)詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:180V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:10A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 30V
功率_最大:120W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商設備封裝:TO-3P(N)
包裝:散裝

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