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2SK4181-TL-E 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SK4181-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:525V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:920 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 30V
功率_最大:70W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ZP
包裝:Digi-Reel®

2SK4181-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:525V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:920 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 30V
功率_最大:70W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ZP
包裝:帶卷 (TR)

2SK4181-TL-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 525V 7.5A ZP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:525V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:920 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:600pF @ 30V
功率_最大:70W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:ZP
包裝:剪切帶 (CT)

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