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2SK536-TB 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2SK536-TB-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 歐姆 @ 10mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:15pF @ 10V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-CP
包裝:帶卷 (TR)

2SK536-TB-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 歐姆 @ 10mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:15pF @ 10V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-CP
包裝:Digi-Reel®

2SK536-TB-E詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 歐姆 @ 10mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:15pF @ 10V
功率_最大:200mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應商設備封裝:3-CP
包裝:剪切帶 (CT)

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