74LVC3G14GN,115 全國供應商、價格、PDF資料

74LVC3G14GN,115詳細規格

類別：邏輯 - 柵極和逆變器

描述：IC INVERTER TRPL SCHMITT 8XSON

系列：74LVC

制造商：NXP Semiconductors

邏輯類型：逆變器，緩沖器

電路數：3

輸入數：1

特性：施密特觸發器

電壓_電源：1.65 V ~ 5.5 V

電流_靜態（最大值）：40µA

電流_輸出高qqq低：32mA，32mA

邏輯電平_低：0.25 V ~ 1.2 V

邏輯電平_高：1.5 V ~ 3.6 V

不同Vtttt最大CL時的最大傳播延遲：2.4ns @ 5V，50pF

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：8-XSON，SOT（6 （1.2x1）

封裝/外殼：8-XFDFN

包裝：帶卷 (TR)

• BQ29410DCTT

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 寬）    IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8

• 74LVC3G14DP,125

  邏輯 - 柵極和逆變器    NXP Semiconductors    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC TRPL INV SCHMITT TRIG 8TSSOP

• C2420A.38.10

  多芯導線    General Cable/Carol Brand    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    5C/18 16/30TC UNSH TYPE CM

• C0805X472KDRACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 4700PF 1KV 10% X7R 0805

• 74HCT688PW,118

  邏輯 - 比較器    NXP Semiconductors    20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC COMPARATOR MAGNITUDE 20TSSOP

• BLF6G10LS-160RN:11

  RF FET    NXP Semiconductors    SOT-502B    TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B

• BLM41PG181SN1L

  鐵氧體磁珠和芯片    Murata Electronics North America    1806（4516 公制）    FERRITE CHIP 180 OHM 3000MA 1806

• C0603C510J1GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 51PF 100V 5% NP0 0603

• BQ29411DCTR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 寬）    IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8

• C0805X473K1RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.047UF 100V X7R 0805

• 74HCT7030D,112

  邏輯 - FIFO    NXP Semiconductors    28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC 9X64 FIFO REGISTER 3ST 28SOIC

• BLM41PG181SN1L

  鐵氧體磁珠和芯片    Murata Electronics North America    1806（4516 公制）    FERRITE CHIP 180 OHM 3000MA 1806

• BLF6G10LS-200,112

  RF FET    NXP Semiconductors    SOT-502B    IC BASESTATION FINAL SOT502B

• C0603C510J5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 51PF 50V 5% NP0 0603

• BQ29411PWRG4

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC BATT/PROTECT 2-4CELL 8-TSSOP