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AO6409 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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AO6409詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH -20V -5A 6-TSOP
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:帶卷 (TR)

AO6409詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH -20V -5A 6-TSOP
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:Digi-Reel®

AO6409詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH -20V -5A 6-TSOP
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:45 毫歐 @ 5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1450pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-74,SOT-457
供應商設備封裝:6-TSOP
包裝:剪切帶 (CT)

AO6409A詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 20V 2.1W TSOP6
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:905pF @ 10V
功率_最大:2.1W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

AO6409A詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 20V 2.1W TSOP6
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:905pF @ 10V
功率_最大:2.1W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

AO6409A詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSF P CH 20V 2.1W TSOP6
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):900mV @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:905pF @ 10V
功率_最大:2.1W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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