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APTM120DA30T1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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APTM120DA30T1G詳細規格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
系列:-
制造商:Microsemi Power Products Group
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:1200V(1.2kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:31A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:360 毫歐 @ 25A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 2.5mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:560nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:14560pF @ 25V
功率_最大:657W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SP1
供應商設備封裝:SP1
包裝:散裝

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