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ATP113-TL-H 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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ATP113-TL-H詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29.5 毫歐 @ 18A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 20V
功率_最大:50W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片)
供應商設備封裝:ATPAK
包裝:剪切帶 (CT)

ATP113-TL-H詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29.5 毫歐 @ 18A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 20V
功率_最大:50W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片)
供應商設備封裝:ATPAK
包裝:Digi-Reel®

ATP113-TL-H詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:35A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29.5 毫歐 @ 18A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:55nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 20V
功率_最大:50W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片)
供應商設備封裝:ATPAK
包裝:帶卷 (TR)

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