B41605A5688M002 全國供應商、價格、PDF資料

B41605A5688M002詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 6800UF 25V 20% SNAP

系列：B41605

制造商：EPCOS Inc

電容：6800µF

額定電壓：25V

容差：±20%

壽命0a0溫度：125°C 時為 5000 小時

工作溫度：-55°C ~ 125°C

特點：自動

紋波電流：13.5A

ESR（等效串聯電阻）：14 毫歐

阻抗：15 毫歐

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，罐 - 卡入式 - 3 引線

尺寸/尺寸：0.984" 直徑（25.00mm）

高度_座高（最大）：1.575"（40.00mm）

引線間隔：0.394"（10.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：托盤

• BR24C02-RDW6TP

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC EEPROM 2KBIT 100KHZ 8TSSOP

• BLC120J901B4A

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向 - 4 引線    CAP FILM 12UF 900VDC RADIAL

• BK/9789-1/2

  配件    Cooper Bussmann    徑向 - 4 引線    REPLACEMENT KNOB FOR HPM

• B41605A5189M2

  電容器    EPCOS Inc        SNAP IN 18000UF 25V

• 71978-150LF

  矩形- 接頭，公引腳    FCI        EURO QKE HDR RA DPWL RLG

• BK0603LL100-T

  鐵氧體磁珠和芯片    Taiyo Yuden    0201（0603 公制）    FERRITE BEAD 10 OHM 0201

• BR24C04-MN6TP

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8SOIC

• 74010

  螺釘和螺母驅動器 - 刀片和位    Wiha    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    BIT PWR SLOT 1/4" HEX 4.0MM 50MM

• BSZ0909NS

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 30V 19A TSDSON-8

• BK/9838

  配件    Cooper Bussmann    徑向，罐 - 卡入式 - 3 引線    REPLACEMNT CONTCT FOR 18-22 WIRE

• 71979-220LF

  矩形- 接頭，公引腳    FCI    徑向，罐 - 卡入式 - 3 引線    QKE HDR SS WRL RA DP-2P3

• BK0603LL330-T

  鐵氧體磁珠和芯片    Taiyo Yuden    0201（0603 公制）    FERRITE BEAD 33 OHM 0201

• 7401ADAPTM8

  過時/停產零件編號    Fairchild Semiconductor    0201（0603 公制）    ADAPTER 8SOIC POWERICE/POWERIC

• BR24C04-RDS6TP

  存儲器    Rohm Semiconductor    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC EEPROM 4KBIT 100KHZ 8TSSOP

• BSZ100N03LS G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8