B41827B4108M 全國供應商、價格、PDF資料

B41827B4108M詳細規格

類別：電容器

描述：1000UF 16V 10X20 SINGLE END

系列：B41827

制造商：EPCOS Inc

電容：

額定電壓：

容差：

壽命0a0溫度：

工作溫度：

特點：

紋波電流：

ESR（等效串聯電阻）：

阻抗：

安裝類型：

封裝/外殼：

尺寸/尺寸：

高度_座高（最大）：

引線間隔：

表面貼裝占地面積：

包裝：

• C0603C331J5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0603

• B41827B4107M

  電容器    EPCOS Inc        100UF 16V 6.3X11 SINGLE END

• B43821A1226M2

  電容器    EPCOS Inc        AL-ELKO SINGLE END 22UF 160V

• BCP52

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-261-4，TO-261AA    TRANSISTOR PNP 60V 1.2A SOT-223

• C315C270J1G5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL

• BQ2201SN

  存儲器 - 控制器    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SRAM NONVOL CNTRLR 8-SOIC

• BK1005HS102-T

  鐵氧體磁珠和芯片    Taiyo Yuden    0402（1005 公制）    FERRITE BEAD 1000OHM 0402

• C0603X7S0J224K

  陶瓷    TDK Corporation        CAPACITORS CERAMIC

• C0603C331J5GACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0603

• BCP52-10,135

  晶體管(BJT) - 單路    NXP Semiconductors    TO-261-4，TO-261AA    TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223

• C315C270J1G5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL

• BQ2201SN-NTRG4

  存儲器 - 控制器    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC SRAM NONVOLATILE CNTRLR 8SOIC

• BK1005HS680-T

  鐵氧體磁珠和芯片    Taiyo Yuden    0402（1005 公制）    FERRITE BEAD 68 OHM 0402

• C0603C331J5RACTU

  陶瓷    Kemet    0603（1608 公制）    CAP CER 330PF 50V 5% X7R 0603

• C0603X7S0J224K

  陶瓷    TDK Corporation        CAPACITORS CERAMIC