B82462G4152M 全國供應商、價格、PDF資料
B82462G4152M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.5UH 3.1A SMD
- 系列:B82462-G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:1.5µH
- 電流:
- 額定電流:3.1A
- 電流_飽和值:3.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 20 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:100MHz
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.248" L x 0.248" W x 0.118" H(6.30mm x 6.30mm x 3.00mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:剪切帶 (CT)
B82462G4152M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.5UH 3.1A SMD
- 系列:B82462-G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:1.5µH
- 電流:
- 額定電流:3.1A
- 電流_飽和值:3.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 20 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:100MHz
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.248" L x 0.248" W x 0.118" H(6.30mm x 6.30mm x 3.00mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:帶卷 (TR)
B82462G4152M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.5UH 3.1A SMD
- 系列:B82462-G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:1.5µH
- 電流:
- 額定電流:3.1A
- 電流_飽和值:3.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 20 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:100MHz
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.248" L x 0.248" W x 0.118" H(6.30mm x 6.30mm x 3.00mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:Digi-Reel®
- DC DC Converters Emerson Network Power 8-DIP 模塊 CONVERT DC/DC 9-36VIN 15V@0.40A
- 未定義的系列 NXP Semiconductors 8-DIP 模塊 TRANSISTOR PWR UHF LDMOS SOT467B
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 1.5UH 3.1A SMD
- RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 3M (TC) 非標準 COPPER NCKL COAT TAPE 3/4" X 2"
- 電容器 EPCOS Inc 33UF 25V 5X11 SINGLE END
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.33UF 1KVDC RADIAL
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 38-TFSOP(0.173",4.40mm 寬) IC BATT PROT LI-ION/POLY 38TSSOP
- DC DC Converters Emerson Network Power 8-DIP 模塊 CONVERT 18-75VDC IN 15V@0.40A
- 保險絲 Bel Fuse Inc 5mm x 20mm FUSE FAST 250VAC 6.3A 5X20
- 電容器 EPCOS Inc 390UF 25V 10X20 SINGLE END
- USB 3M USB2.0 ASSY, TYPE A/ST - TYPE A
- 薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.047UF 1KVDC RADIAL
- PMIC - 電池管理 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC VOLT PROT LI-ION 16TSSOP
- DC DC Converters Emerson Network Power 8-DIP 模塊 CONV DC/DC 6W +/-15VOUT DUAL
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR RF LDMOST
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