B82464G4153M 全國供應商、價格、PDF資料
B82464G4153M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 15UH 2.75A SMD
- 系列:B82464G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:15µH
- 電流:
- 額定電流:2.75A
- 電流_飽和值:3.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 40 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:15MHz
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.409" L x 0.409" W x 0.189" H(10.40mm x 10.40mm x 4.80mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:帶卷 (TR)
B82464G4153M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 15UH 2.75A SMD
- 系列:B82464G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:15µH
- 電流:
- 額定電流:2.75A
- 電流_飽和值:3.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 40 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:15MHz
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.409" L x 0.409" W x 0.189" H(10.40mm x 10.40mm x 4.80mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:Digi-Reel®
B82464G4153M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 15UH 2.75A SMD
- 系列:B82464G4
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:15µH
- 電流:
- 額定電流:2.75A
- 電流_飽和值:3.1A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:最大 40 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:15MHz
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.409" L x 0.409" W x 0.189" H(10.40mm x 10.40mm x 4.80mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.027UF 16V 10% X7R 0402
- 單二極管/整流器 NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 DIODE SW 300V 250MA H-S SOD523
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP AF 25V SOT-23
- TVS - 二極管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 2700PF 25V 5% NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 1.5UH 7.0A SMD
- 單二極管/整流器 NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 DIODE SW 300V 250MA SOD523
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.027UF 16V 10% X7R 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP AF 25V SOT-323
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 2700PF 50V 5% NP0 0603
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 45V 500MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.027UF 6.3V X5R 0402
- 晶體管(BJT) - 陣列 NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B
- TVS - 二極管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 680UH .42A SMD
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