B82466G102M 全國供應商、價格、PDF資料
B82466G102M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.0UH 1.05A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:1µH
- 電流:
- 額定電流:1.05A
- 電流_飽和值:1.2A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:105 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:-
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:剪切帶 (CT)
B82466G102M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.0UH 1.05A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:1µH
- 電流:
- 額定電流:1.05A
- 電流_飽和值:1.2A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:105 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:-
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:Digi-Reel®
B82466G102M詳細規格
- 類別:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 1.0UH 1.05A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 類型:鐵氧體芯體
- 電感:1µH
- 電流:
- 額定電流:1.05A
- 電流_飽和值:1.2A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:鐵氧體
- 屏蔽:屏蔽
- DC電阻333DCR444:105 毫歐
- 不同頻率時的Q值:-
- 頻率_自諧振:-
- 工作溫度:-
- 封裝/外殼:非標準
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安裝類型:表面貼裝
- 包裝:帶卷 (TR)
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 330PF 25V 5% NP0 0402
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 680UH .42A SMD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 2.7PF 25V NP0 0603
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CN2220S14BAUTOE2G2K2
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 100MA 45V SOT-23
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc 0402(1005 公制) CERADIODE 5.6VDC 10A 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 100MA 45V SOT-23
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CU3225K17AUTOG2K1
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 10UH .36A SMD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 2.7PF 50V NP0 0603
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