BC307詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 頻率_轉換:130MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
BC307_J35Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP EPTXL 45V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 頻率_轉換:130MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
BC307ABU詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 頻率_轉換:130MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
BC307ATA詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:120 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 頻率_轉換:130MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
BC307B詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 頻率_轉換:280MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
BC307B詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:180 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 頻率_轉換:130MHz
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
- 電容器 EPCOS Inc 12UF 80V 6.3X11 SINGLE END
- 晶體 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 40.0 MHZ 18PF 3OT SMD
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線 TERM BLOCK PLC 16POS OUTPUT
- 二極管,整流器 - 陣列 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SCHOTTKY 40V SOT-23
- 光纖 TE Connectivity TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 C/A 62.5/125 RIS SC MTRJ 2M1
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - SMD CAP ALUM 1UF 50V 20% SMD
- 晶體 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 48.0 MHZ 20 PF 3OT
- 電容器 EPCOS Inc 180UF 80V 12.5X25 SINGLE END
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-226-3、TO-92-3 標準主體 C200H REPLACEMENT BATTERY
- 電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向,Can - SMD CAP ALUM 1UF 50V 20% SMD
- 光纖 TE Connectivity 徑向,Can - SMD C/A 62.5/125 RIS SC MTRJ 2M1
- 二極管,整流器 - 陣列 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SCHTKY CA 40V 120MA SOT-23
- 陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 0.022UF 100V 10% RADIAL
- 晶體 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 48.0 MHZ 18 PF 3OT
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