BC32716 全國供應商、價格、PDF資料

BC32716詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC32716_J35Z詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANS PNP EPTXL 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC32716BU詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：散裝

BC32716TA詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

BC32716TA詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：剪切帶 (CT)

BC32716TAR詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路

描述：TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶體管類型：PNP

電流_集電極333Ic444（最大）：800mA

電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V

IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA

電流_集電極截止（最大）：100nA

在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V

功率_最大：625mW

頻率_轉換：100MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線

供應商設備封裝：TO-92-3

包裝：帶盒（TB）

• BD9302FP-E2

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器    Rohm Semiconductor    25-SOP（0.213"，5.40mm）+ 2 翼片    IC REG BUCK ADJ 2A DL HSOP25

• 74AUP1G09SE-7

  邏輯 - 柵極和逆變器    Diodes Inc    6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353    IC GATE AND SGL 2INP SOT353

• B82422A1333K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 33UH 105MA 1210 10%

• BC327-16-AP

  晶體管(BJT) - 單路    Micro Commercial Co    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    TRANSISTOR PNP 800MA 45V TO-92

• BA4558RF-E2

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Rohm Semiconductor    8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）    IC OP AMP DUAL 3MA 2MHZ SOP8

• BFP540FESDE6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    4-SMD，扁平引線    TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4

• C0402C223J3RAC7867

  陶瓷    Kemet    0402（1005 公制）    CAP CER 0.022UF 25V 5% X7R 0402

• B82422A1682K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 6.8UH 135MA 1210 10%

• 74AUP1G11GM,115

  邏輯 - 柵極和逆變器    NXP Semiconductors    6-XFDFN    IC GATE AND 3INPUT LP 6-XSON

• BFP540FESDE6327

  RF 晶體管 (BJT)    Infineon Technologies    4-SMD，扁平引線    TRANS RF NPN 4.5V 80MA TSFP-4

• BA4558RFVM-TR

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Rohm Semiconductor    8-VSSOP，8-MSOP（0.110"，2.80mm 寬）    IC OP AMP DUAL 3MA 2MHZ MSOP8

• C0402C223J3RAC7867

  陶瓷    Kemet    0402（1005 公制）    CAP CER 0.022UF 25V 5% X7R 0402

• B82422A1682K100

  固定式    EPCOS Inc    1210（3225 公制）    INDUCTOR 6.8UH 135MA 1210 10%

• BC32725TFR

  晶體管(BJT) - 單路    Fairchild Semiconductor    TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線    TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92

• BD9322EFJ

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器    Rohm Semiconductor    8-TSOP 裸露焊盤，8-eTSOP，8-HTSOP    IC REG BUCK SYNC ADJ 2A 8HTSOP