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BC490 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BC490詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 100mA,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

BC490A詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

BC490AG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

BC490AZL1詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

BC490AZL1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 100mA,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:帶盒(TB)

BC490G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 80V 1A TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):1A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 100mA,1A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 100mA,2V
功率_最大:625mW
頻率_轉換:150MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
供應商設備封裝:TO-92-3
包裝:散裝

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