BC847BDW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:380mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
BC847BDW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:380mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
BC847BDW1T1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:380mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:Digi-Reel®
BC847BDW1T3G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:380mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:剪切帶 (CT)
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- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:380mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:Digi-Reel®
BC847BDW1T3G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 陣列
- 描述:TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:2 NPN(雙)
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:380mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商設備封裝:SOT-363
- 包裝:帶卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 16V 5% X7R 0805
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-323
- 平衡-不平衡變壓器 Anaren 4-SMD,無引線 XFRMR BALUN RF 2400-2500MHZ 0404
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 1KV 5% NP0 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) CABLE I/O BACKPLANE-BACKPLANE 5M
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 8PF 50V NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 2PF 50V NP0 0201
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 10V 5% X7R 0805
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 130PF 500V 5% NP0 1812
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 100PF 1KV 5% NP0 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 2PF 50V NP0 0201
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 25V 10% X8L 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) CABLE I/O BACKPLANE-BACKPLANE 5M
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 9PF 50V NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 130PF 500V 5% NP0 1812
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