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BC847BLP-7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BC847BLP-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN BIPOL 3-DFN
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
包裝:帶卷 (TR)

BC847BLP-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN BIPOL 3-DFN
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
包裝:剪切帶 (CT)

BC847BLP-7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN BIPOL 3-DFN
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-XFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
包裝:Digi-Reel®

BC847BLP-7B詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 45V 100MA DFN1006-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-UFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
包裝:剪切帶 (CT)

BC847BLP-7B詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 45V 100MA DFN1006-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-UFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
包裝:Digi-Reel®

BC847BLP-7B詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN 45V 100MA DFN1006-3
系列:-
制造商:Diodes Inc
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):45V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-UFDFN
供應商設備封裝:3-DFN1006(1.0x0.6)
包裝:帶卷 (TR)

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