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BC859CW,115 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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BC859CW,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SC-70
包裝:Digi-Reel®

BC859CW,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SC-70
包裝:帶卷 (TR)

BC859CW,115詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):30V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:420 @ 2mA,5V
功率_最大:200mW
頻率_轉換:100MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:SC-70
包裝:剪切帶 (CT)

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