BCW32LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
BCW32LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
BCW32LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN GP 32V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):32V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 500µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:225mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.027UF 50V 10% X7R 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 100UH 1.05A SMD
- TVS - 二極管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- 晶體管(BJT) - 單路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 100MA 65V SOT-23
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 30PF 50V 10% NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.027UF 50V 10% X7R 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 1000UH .34A SMD
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0805K20G
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 3PF 25V NP0 0402
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 15UH 2.75A SMD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.027UF 16V 20% X7R 0603
- TVS - 變阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0805K17LCG
- 晶體管(BJT) - 陣列 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN/PNP 65V 100MA SOT363
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 33PF 50V 2% NP0 0402
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