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BCW71詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：330MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BCW71詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：330MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：Digi-Reel®

BCW71詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：330MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BCW71,215詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：210mV @ 2.5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：250mW; 頻率_轉換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：TO-236AB; 包裝：帶卷 (TR)

BCW71_D87Z詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：330MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

BCW71_ND87Z詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：500mA; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：45V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V; 功率_最大：350mW; 頻率_轉換：330MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應商設備封裝：SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

BCW70,215
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
B7A-R6A13
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 ADAPTER 16POS NPN OUT HOLD
BZX84C9V1ET3
單二極管/齊納 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT-23
B41858C6477M4
電容器 EPCOS Inc 470UF 50V SINGLE END
AXK7L48227G
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 Panasonic Electric Works CONN SOCKET FPC .4MM 48POS SMD
B32652A0104J
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.1UF 1KVDC RADIAL
68417W2203L461
D-Sub Norcomp Inc. 徑向 CONN FEMALE 17W2 RA DIP SLD NKL
C0402C309C5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 3PF 50V NP0 0402
BZX84C9V1LT1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT-23
B41858C6477M8
電容器 EPCOS Inc 470UF 50V SINGLE END
AXK7L50217G
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 Panasonic Electric Works CONN SOCKET FPC .4MM 50POS SMD
68417W2212461
D-Sub Norcomp Inc. CONN FEMALE 17W2 RA DIP SLD TIN
B32652A0153J
薄膜 EPCOS Inc 徑向 CAP FILM 0.015UF 1KVDC RADIAL
C0402C309C5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 3PF 50V NP0 0402
BZX84C9V1LT1G
單二極管/齊納 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT-23

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