BCX56TA詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 80V 1A 2W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 頻率_轉換:150MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:SOT-89
- 包裝:Digi-Reel®
BCX56TA詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 80V 1A 2W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 頻率_轉換:150MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:SOT-89
- 包裝:帶卷 (TR)
BCX56TA詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 80V 1A 2W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 頻率_轉換:150MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-243AA
- 供應商設備封裝:SOT-89
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN MED-PWR 80V 1A SOT-89
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.022UF 200V X7R 1210
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 680UH 0.48A
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 25V 5% NP0 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc TO-243AA TRANSISTOR NPN 80V SOT-89
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 620PF 50V 2% NP0 1206
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 25V 1% NP0 1210
- 固定式 EPCOS Inc 非標準 INDUCTOR POWER 100UH 1.7A SMD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 10V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 25V 5% NP0 1210
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 12X12 15.0UH 4.50A
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 16V 5% X7R 0402
- 晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 25V 5% X7R 0603
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